IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT是能源变换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”，在变频家电、电动汽车、轨道交通、新能源装备、智能电网、航空航天等领域应用极为广泛。
IGBT兼具高输入阻抗、低导通压降两大优点，适用于直流电压为600V及以上的交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等变流系统领域，需求不断增长。根据新思界产业研究中心发布的
《2019年绝缘栅双极晶体管（IGBT）商业计划书》显示，2018年，全球IGBT市场规模约为50亿美元，较2017年增长21%。2010-2017年，我国IGBT行业产量年均复合增长率为23%，2018年产量达到1100万只以上，同比增长37%；市场需求量年均复合增长率为17%，2018年需求量达到8000万只左右，同比增长20%。我国以及全球IGBT市场均呈现高速增长态势。
从应用市场划分来看，IGBT的下游应用领域中，工业领域应用占比为30%，轨道交通领域应用占比为27%，消费类和其他领域应用占比为17%，新能源汽车领域应用占比为13%，新能源发电领域应用占比为8%，电网领域应用占比为5%。工业和轨道交通领域是IGBT的最大下游应用市场，随着新能源汽车以及新能源发电市场规模不断扩大，其应用需求占比将会持续攀升。
IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，产业链与集成电路极为相似，由设计、制造、封测等环节组成，进入技术及资金壁垒较高。在全球IGBT市场中，英飞凌、三菱、富士电机、安森美、ABB五大企业合计市场份额占比达到70%以上，处于垄断地位。我国IGBT行业起步较晚，生产能力及技术水平发展不足，市场需求主要依靠进口，特别是高端产品领域，日本和欧美企业垄断国内市场。
经过不断发展，我国IGBT行业已经具备一定的产业链协同能力，但IGBT产品生产工序及制作工艺较为复杂，并且，在功率芯片等核心零部件领域，我国IGBT行业基本依靠进口，竞争实力弱。同时，IGBT生产过程中，每道制作工艺都需配备专用配套装备，我国IGBT配套装备研发及生产能力弱，高端产品国外企业不对中国出口，设备配套困难。总的来看，我国IGBT行业与国际先进企业相比差距较大，未来发展之路漫长。
新思界
行业分析人士表示，我国是全球最大的功率半导体消费国，IGBT是重要的功率半导体器件，而我国IGBT行业起步较晚，发展不足，产品及配套设备主要依靠进口。经过不断发展，我国IGBT行业在部分技术领域已经实现突破，打破了国外企业垄断，但与外资企业相比仍有明显差距。我国IGBT行业未来发展依然任重而道远。
