探针卡是晶圆测试（CP）环节连接测试机与待测晶圆的接口硬件，一张卡的设计寿命通常为 50 万至 150 万次接触，达到寿命或针尖磨损超标后需更换或翻新。按照结构形态与工艺路线，探针卡可分为悬臂式、垂直式、薄膜式及 MEMS 式（含 2D 与 2.5D/3D）几大类，技术复杂度依次递进。
垂直式探针垂直立于基板之上，针体被上导板与下导板（或导向孔）约束，测试时探针受压产生轴向弯曲，接触力由弯曲变形提供，行程通常为 50 至 100 微米，因此垂直式探针具有针痕浅、针间距可以做得比悬臂更小、以及探针可以做得更短从而获得更好的高频特性等优势；但也存在针数受导板加工精度限制，且针体一旦塑性变形就整卡报废的缺陷。
相对于MEMS式探针卡，垂直式探针卡的单价通常相对MEMS卡较低；垂直式探针卡针体截面大、散热路径短，在高电流（电源管理、功率器件）与高温（车规 150 摄氏度以上）测试中比细长的 MEMS 探针更耐受；垂直式探针卡可以单针更换与翻新，MEMS 卡多为整卡或模块更换，对于测试量大、停机成本高的成熟产线，成本相对更低。
新思界产业研究中心整理发布的《
2026-2030年全球及中国垂直式探针卡行业研究及十五五规划分析报告》显示，目前，中国垂直式探针卡市场主要受到多重因素影响，市场规模增长迅速。首先是全球晶圆厂扩产潮，其中成熟制程产能占比较高，这部分产能单芯片测试项多、测试时间长、对测试成本敏感，是垂直式探针卡的重要市场；此外，美国 2022 年《芯片与科学法案》及 2024 年 12 月的 BIS 规则将 140 家实体列入清单并限制 HBM 出口，使高端探针卡的跨境交付出现许可不确定性。境外厂商在中国大陆垂直式探针垂的份额被动收缩，留下的空缺主要由国产厂商填补。
不过，目前垂直式探针行业发展也面临较多风险，一方面2D MEMS作为 垂直结构的 MEMS 版本，替代传统垂直式探针卡时不存要改测试方案的困难，只需要重新验证一次卡，使得替代速度可以很快。同时，国内垂直卡产能正在集中释放，行业可能会在今后几年面临竞争加剧的风险，进而出现价格战。此外，探针卡需求与晶圆厂资本开支高度绑定，半导体行业资本开支存在周期性，一旦进入下行周期，对行业将会产生较大影响。
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