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产业升级带动高纯碳化铝粉发展 日本德山新建600吨/年生产线

2017-12-25 21:05      责任编辑:冯瀚东    来源:www.newsijie.com    点击:
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高纯碳化铝(AIN)粉需求增速 日本德山新建600吨/年生产线
 
        世界半导体产业正在由第二代的砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等化合物半导体向碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料过渡。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,AIN是第三代半导体AIN-DBC的重要生产原材料。
 
        目前,高纯AIN粉生产企业主要集中在日本和美国,其中日本企业在该领域的研究开发非常系统全面,专利标准和生产技术非常成熟,高品质AIN粉和基片封装材料的生产均有日本企业垄断。高纯AIN粉的生产具有极高的技术、资金、客户壁垒,国内AIN粉生产研究比较落后,不能满足高品质封装材料的要求。国内目前AIN粉以要求较低的添加剂为主,整体处于研发阶段,在AIN-DBC基板生产和模块的封装中尚没有一家国内生产的AIN粉得到商业应用,国内AIN-DBC基板生产企业主要使用日本德山曹达公司的高纯AIN粉。
 
        日本德山曹达公司是高纯AIN粉最重要的生产企业,市场份额超过占全球市场规模的60%。该公司采用AI2O3粉碳热还原法生产的AIN粉被全球公认为质量最好、性能最稳定,产品大量出口至欧美企业,2016年公司高纯AIN粉产量为345吨,较2015年同比增长13.9%。日本德山曹达公司于2017年公布了高纯AIN粉扩产计划将在未来建设一条新的年产600吨高纯AIN粉生产线,该计划将于2018年4月开始实施,通过5年的扩产计划,每年增加120吨,至2022年将整体产能提升至850吨/年。
 
        根据新思界产业研究中心公布的《2017-2022年全球及中国高纯碳化铝(AIN)粉市场发展前景及投资机遇》显示,我国高纯AIN产业尚未形成完成的产业链,上游高纯AIN粉尚没有实现生产突破,下游的AIN-DBC主要有日资的上海申和热磁电子有限公司生产,国内企业生产规模较小,高纯AIN粉依赖进口。2016年中国高纯AIN粉的进口量为27.1吨,预计2020年随着中国市场高纯AIN产业链的不断完善,2020年高纯AIN粉进口量有望达到51.3吨。
 
        高纯氮化铝陶瓷粉用作高热导率陶瓷原料,是新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。同时,高纯氮化铝陶瓷粉还能显著提高高分子材料热导率和力学性能,用作复合材料的添加剂。我国高纯AIN粉生产及下游应用企业较小,整体产业发展落后于国外,高纯AIN粉依赖进口。2014年国内高纯AIN粉市场规模为21.5吨,近年来随着碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业的发展,我国高纯AIN粉的需求稳步增加,2016年国内高纯AIN粉市场规模为27.9吨。
 
        新思界产业研究员认为,由于国内半导体产业的落后,高纯AIN粉大多以集成电路、模块等最终产品形式进入国内市场。国内高纯AIN粉下游集成电路及模块封装产业受技术因素,短期内难有突破。目前国内高纯AIN粉的下游用户有上海申和热磁电子有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、南京中江新材料科技有限公司和淄博市临淄银河高技术开发有限公司等,其中上海申和热磁电子有限公司(日企)是国内AIN粉最大需求者。AIN-DBC技术已列入《中国制造2025》的重大攻关项目,国内DBC生产工艺和技术在不断取得突破,预计2017-2020年我国高纯AIN粉市场规模将逐渐增加,2020年国内高纯AIN粉市场规模将达到54吨。
 
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