HT-CVD碳化硅炉，全称高温化学气相沉积碳化硅单晶生长炉，是采用高温化学气相沉积法（HT-CVD）生长碳化硅单晶的设备。HT-CVD碳化硅炉工作时，向高温真空炉腔内通入气相前驱体（通常采用硅烷和碳氢化合物作为硅源和碳源）发生化学反应产生结晶簇，结晶簇高温升华，在籽晶上沉积形成碳化硅单晶。
在半导体碳化硅生长领域，常规CVD主要用于在SiC衬底上生长高质量的同质外延薄膜。高温化学气相沉积法（HTCVD）则生长块状碳化硅单晶，其与物理气相传输法（PVT）、液相外延法（LPE）并列为碳化硅单晶生长的三大方法。
HT-CVD碳化硅炉下游应用场景主要包括5G/6G通信基站射频器件衬底、高功率微波器件、高电压功率电子器件，以及其他需要低缺陷密度的高端半导体衬底领域。HT-CVD碳化硅炉可以制备半绝缘型SiC衬底，该衬底凭借高电阻率、低杂质含量优点，是制造GaN HEMT射频器件的理想基底材料，在卫星通信、雷达、5G基站等领域具有重要应用价值。
由于高纯气体价格高、设备研制难度大，HT-CVD碳化硅炉生产及应用成本较高，商业化进展较为缓慢，全球布局企业数量极少。从海外来看，日本电装（Denso）是代表性HTCVD工艺及其长晶炉研究企业，在2009年利用HTCVD法生产出了低缺陷密度SiC晶锭，并于2023年宣布可以通过HTCVD法量产8英寸SiC单晶。
新思界
行业分析人士表示，从我国来看，江苏超芯星半导体有限公司是国内唯一掌握HTCVD创新技术的企业，2020年，超芯星研制出国内首台套HTCVD碳化硅单晶生长设备，2025年，超芯星凭借自主研发的高温化学气相沉积法（HTCVD）碳化硅长晶技术，获得第50届日内瓦国际发明展金奖。
我国还有科研机构以及其他企业布局HT-CVD工艺以及HT-CVD碳化硅炉制造技术。早在2011年，中国科学院半导体研究所申请了“HTCVD法碳化硅晶体生长装置”专利。2019年，张家港迪源电子科技有限公司申请了“一种采用HTCVD法制备高阻碳化硅衬底的方法”专利。
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